-
Dysk SSD Samsung 990 PRO 1TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s) SAMSUNG
Symbol:
MZ-V9P1T0BW
419,69 zł Netto
516,22 zł Brutto 0,00 zł Netto
516,22 zł Brutto 0,00 zł Netto
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 9,80 zł Brutto |
| Dostępność |
Mało
|
Zamówienie telefoniczne: 660182266
| Zostaw telefon |
Rodzina dysków: 990 PRO
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 1200000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy:0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Pojemność dysku: 1 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: V-NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0
Odczyt losowy: 1200000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: Samsung V-NAND 3-bit MLC, Wymiary: 80 x 22 x 2.3 mm, Waga: Maks. 9 g, PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0, Napięcie: 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy:0 - 70 ?, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Rodzina dysków:
990 PRO
Pojemność dysku:
1 TB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6900 MB/s
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
600.0
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Odczyt losowy:
1200000 IOPS
Zapis losowy:
1550000 IOPS
Typ kości pamięci:
V-NAND
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci
Sklep internetowy na oprogramowaniu
